Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques - Normandie Université Access content directly
Conference Papers Year : 2015

Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Domains

Electronics
No file

Dates and versions

hal-02407378 , version 1 (12-12-2019)

Identifiers

  • HAL Id : hal-02407378 , version 1

Cite

Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, François Fouquet, Olivier Latry. Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques. Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc. ⟨hal-02407378⟩
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