Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2011
Moncef KADI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-02308187
Soumis le : mardi 8 octobre 2019-13:08:37
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02308187 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/26/2/025003
Citer
A. Alaeddine, C. Genevois, Moncef Kadi, Fabien Cuvilly, K. Daoud. Degradation of Au–Ti contacts of SiGe HBTs during electromagnetic field stress. Semiconductor Science and Technology, 2011, 26 (2), pp.025003. ⟨10.1088/0268-1242/26/2/025003⟩. ⟨hal-02308187⟩
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