Article Dans Une Revue
International Journal of Microwave and Wireless Technologies
Année : 2009
Moncef KADI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-02306952
Soumis le : lundi 7 octobre 2019-11:02:11
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Citer
Ali Alaeddine, Moncef Kadi, Kaouther Daoud, Hichame Maanane, Philippe Eudeline. Study of electromagnetic field stress impact on SiGe heterojunction bipolar transistor performance. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2009, 1 (6), pp.475-482. ⟨10.1017/S1759078709990572⟩. ⟨hal-02306952⟩
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