Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2011
Moncef KADI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-02306934
Soumis le : lundi 7 octobre 2019-10:51:49
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02306934 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2011.07.074
Citer
S. Khemiri, Moncef Kadi, A. Louis. Reliability study of AlGaN/GaN HEMT under electromagnetic, RF and DC stress. Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.1783-1787. ⟨10.1016/j.microrel.2011.07.074⟩. ⟨hal-02306934⟩
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