Article Dans Une Revue
IET Circuits, Devices & Systems
Année : 2020
Etienne Talbot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-04355267
Soumis le : mercredi 20 décembre 2023-10:24:52
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Citer
Mohamed Ali Belaïd, Ahmed Almusallam, Mohamed Lamine Masmoudi. RF performance reliability of power N‐LDMOS under pulsed‐RF aging life test in radar application S‐band. IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (6), pp.805-810. ⟨10.1049/iet-cds.2019.0552⟩. ⟨hal-04355267⟩
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