Article Dans Une Revue
IET Circuits, Devices & Systems
Année : 2020
Etienne Talbot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-04355283
Soumis le : mercredi 20 décembre 2023-10:30:14
Dernière modification le : vendredi 21 juin 2024-11:12:03
Citer
Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Mohamed Lamine Masmoudi, Joubert Eric. In‐depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation. IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (2), pp.222-228. ⟨10.1049/iet-cds.2018.5509⟩. ⟨hal-04355283⟩
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