Communication Dans Un Congrès
Année : 2020
pascal dherbecourt : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-03354896
Soumis le : dimanche 26 septembre 2021-21:29:56
Dernière modification le : vendredi 21 juin 2024-11:12:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03354896 , version 1
- DOI : 10.1109/ISAECT50560.2020.9523645
Citer
Al Mehdi Bouchour, Pascal Dherbécourt, Ahmed El Oualkadi, Olivier Latry. Parasitic Elements Extraction of the GaN HEMT Packaged Power Transistors based on S-parameter measurements. 2020 International Symposium on Advanced Electrical and Communication Technologies (ISAECT), Nov 2020, Marrakech, Morocco. pp.1-6, ⟨10.1109/ISAECT50560.2020.9523645⟩. ⟨hal-03354896⟩
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