Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Power Electronics
Année : 2021
Eric Joubert : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-03174499
Soumis le : vendredi 19 mars 2021-11:34:21
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Citer
Niemat Moultif, Olivier Latry, Eric Joubert, Mohamed Ndiaye, Christian Moreau, et al.. Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress. IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 36 (7), pp.7442-7450. ⟨10.1109/TPEL.2020.3042133⟩. ⟨hal-03174499⟩
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