Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics - Normandie Université
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2020

Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics

Wadia Jouha
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1174960
  • IdRef : 233353216
Groupe de physique des matériaux
Mohamed Lamine Masmoudi
Groupe de physique des matériaux
Ahmed El Oualkadi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 952816
Laboratoire des Technologies de l'Information et de la Communication [ENSAT, Tanger]
Eric Joubert
Groupe de physique des matériaux
CV
Pascal Dherbécourt
Groupe de physique des matériaux
CV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]

pascal dherbecourt  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-03174373

Soumis le : vendredi 19 mars 2021-10:34:16

Dernière modification le : vendredi 21 juin 2024-11:12:03

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hal-03174373 , version 1 (19-03-2021)

Identifiants

Citer

Wadia Jouha, Mohamed Lamine Masmoudi, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Pascal Dherbécourt. Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 20 (3), pp.506-511. ⟨10.1109/TDMR.2020.2999029⟩. ⟨hal-03174373⟩

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