Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2019
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https://normandie-univ.hal.science/hal-02305454
Soumis le : vendredi 4 octobre 2019-11:07:36
Dernière modification le : mercredi 8 janvier 2025-13:32:29
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02305454 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2019.113398
Citer
Shawki Douzi, Moncef Kadi, Habib Boulzazen, Mohamed Tlig, Jaleleddine Ben Hadj Slama. Radiated EMI evolution of power SiC MOSFET in a boost converter after short-circuit aging tests. Microelectronics Reliability, 2019, pp.113398. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113398⟩. ⟨hal-02305454⟩
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